2-6英寸二氧化硅（SiO2）抛光硅片参数规格
生长方式： 直拉 CZ
氧化方式：热氧化制备
型号： N型/磷、砷、锑 P型/硼 （掺杂元素）
晶向： 111/100
电阻： 0.001-25Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制）
厚度： 250-600（厚度范围可选、也可按照客户需要订制）
氧化层厚度：50nm-1000nm（氧化层厚度范围可选、也可按照客户需要订制）
平整度TIR：<3μm
弯曲度Bow: <15μm
翘曲度TTV: <15μm
粗糙度nm : <0.5nm
库存现有厚度：需订制
盒装硅片 : 25片装(镀铝箔真空包装)
上述概括了此产品参数，对产品有其它厚度或者参数要求请与本公司详谈！
注：硅片尺寸不同氧化层厚度不同价格也会不同，具体请联系我们。
