项目 标准
导电类型 P
掺杂剂 硼
边长 156±0.5mm
形状 方形
电阻率 0.5-3Ω.cm
少子寿命 ≥2μs
氧含量 ≤1×1018atoms/cm3
碳含量 ≤8×1017atoms/cm3
翘曲度 ≤30μm
总厚度差异 ≤40μm
位错密度 ≤40μm
线痕 ≤40μm
崩边 宽度≤0.4mm,延伸≤0.8mm,每片总数量≤2个,间隔≥30mm
表面质量 表面清洁;无裂纹,明显刀痕,凹坑,缺口,孔洞
156 X156 多晶硅片