头闻号

北京合能阳光新能源技术有限公司研究院

少子寿命、红外探伤、电阻率、型号等。

首页 > 供应产品 > 硅片厚度TTV电阻率综合测试系统
硅片厚度TTV电阻率综合测试系统
浏览: 2658
单价: 面议
最小起订量:
供货总量:
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2012-03-08 09:05
 
详细信息

产品介绍
PV-1000系列无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统为太阳能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(总厚度变化)TTV、翘曲及无接触电阻率测量功能。并提供基于TCP/IP的数据传输接口及基于Windows的控制软件,用以进行在线及离线数据管理功能。
无接触硅片综合测试系统-产品特点
使用MTI Instruments独有的推/拉电容探针技术
每套系统提供最多三个测量通道
可进行最大、最小、平均厚度测量和TTV测量
可进行翘曲度测量(需要3探头)
用激光传感器进行线锯方向和深度监视(可选)
集成数据采集和电气控制系统
为工厂测量提供快速以太网通讯接口,速率为每秒5片
可增加的直线厚度扫描数量
与现有的硅片处理设备有数字I/O接口
基于Windows的控制软件提供离线和在线的数据监控
提供标准及客户定制的探头
提供基于Windows的动态链接库用于与控制电脑集成
用涡电流法测量硅片电阻率

无接触硅片综合测试系统-技术指标
■  晶圆硅片测试尺寸:50mm- 300mm.
   厚度测试范围:1.7mm,可扩展到2.5mm.
   厚度测试精度:+/-0.25um
   厚度重复性精度:0.050um
   测量点直径:8mm
 TTV 测试精度:  +/-0.05um
 TTV重复性精度: 0.050um
   弯曲度测试范围: +/-500um [+/-850um]
   弯曲度测试精度: +/-2.0um
   弯曲度重复性精度: 0.750um
电阻率测量范围:5-2000ohm/sq(0.1-40ohm-cm)
电阻率测量精度:2%
电阻率测量重复精度:1%
晶圆硅片类型:单晶或多晶硅
材料:Si,GaAs,InP,Ge等几乎所有半导体材料
可用在:切片后、磨片前、后,蚀刻,抛光以及出厂、入厂质量检测等
平面/缺口:所有的半导体标准平面或缺口
硅片安装:裸片,蓝宝石/石英基底,黏胶带
连续5点测量
应用范围
> 切片
>>线锯设置
    >>>厚度
      >>>总厚度变化TTV
     >>监测
>>>导线槽
>>>刀片更换
>磨片/刻蚀和抛光
>> 过程监控
>> 厚度
>>总厚度变化TTV
>> 材料去除率
>> 弯曲度
>> 翘曲度
>> 平整度
> 研磨
>> 材料去除率
> 最终检测
>> 抽检或全检
>>  终检厚度


典型客户
美国,欧洲,亚洲及国内太阳能及半导体客户。
询价单
小微企业

0

文章

0

视频

0

粉丝

zhao198096

少子寿命、红外探伤、电阻率、型号等。

 

近期更新文章

主推文章