提高铸锭单晶的收益 必须注意的几个问题

 准单晶主要面临两个问题：位错和单晶率

主要以技术工艺角度来阐述，不涉及设备，希望给同仁们如何降低位错的得高单晶率带来一定思考

1、位错主要来源籽晶隐性裂纹，在长晶过程中会放大。

为规避装料过程的挤压带来隐性损伤及裂纹，可以采用双层籽晶的形式。多加一层可以是多晶的，最下面籽晶层一定是单晶硅，融化过程直接融到引晶层。在这个基础上长晶就可以了。

2.坩锅侧壁杂质和凹凸不平点形成多晶核，两种方案来应对。

第一、近坩埚壁侧用小籽晶块的形式，主要是把形成的多晶硅通过长晶位错的形式档在外边。

第二，现有的坩埚表面的光洁度不够，可以建议抛光打磨处理，避免因表面颗粒易造成多晶成核。

3.界面一定要保持凸形，带来的好处有二

第一：从中心长晶的好处，中心单晶率较高，从中心往四周长基本上会长出单晶来，收益和良率都会得到保证。

第二 减小和规避因侧壁或者坩埚壁的凹凸点和小杂质点形成多晶核，导致在多晶基础上长晶，必然多晶率增加。

4.坩埚形状

因长方形坩埚原因，坩埚边极其容易形式多晶。所以使用圆形坩埚是极好的，如果还想提高单晶质量，最好使用圆底或者菱形底坩埚。

5.长晶速率及其它参数一定不要参考多晶硅

第一 多晶硅的长晶速率1.5-2.3mm/min范围内，而单晶硅的长晶速率1-1.3mm/min,很多搞准单晶都是多晶出身，相当然参考多晶硅的速率，有点不靠谱。

第二 单晶硅人员搞准单晶都比铸锭人员自己搞准单晶经验更有用一些。

第三 长晶速率慢是极好的

做到以上几点得率能到60%以上。