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◼ 光伏行业：由政策+技术驱动，行业发展犹如“长江后浪推前浪”，伴随每一代技术 进步，中国出现了尚德、英利、协鑫、隆基、通威等一批又一批的光伏行业龙头。
◼未来 5 年：电池片是光伏产业链重大技术变革环节，设备受益迭代需求。
◼技术发展史：铝背场 BSF 电池（1 代， 2017 年以前）→PERC 电池（2 代，2017 年至今）→PERC+/TOPCon（2.5 代）→HJT 电池（3 代）→HBC 电池（4 代，可能潜在方向）→钙钛矿叠层电池（5 代，可能潜在方向）。
◼光伏行业的核心是“降本+升效”、降低度电成本。单晶电池技术的不断迭代，带来 转换效率从 2014 年的 19%上升至 2020 年的 23%-24%，预计未来有望迈向 30%。
异质结：“增效+降本”潜力巨大，是光伏未来颠覆性技术
2.1. HJT 电池：产业化临近、规划产能超 60GW，将取代 PERC 成为第 三代电池片技术
◼ 晶体硅异质结太阳电池（HJT）是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池 与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发 电等优点，技术具有颠覆性。
◼ 对比 PERC 电池，HJT 潜力巨大，将成为第三代电池片技术主流。据我们综合测算， HJT 在 25 年全生命周期综合发电量较 PERC 高 15%-20%。
1) 转换效率更优：HJT 效率潜力超 28%，远高 PERC 电池。受 P 型单晶电池自身材 料的限制，PERC 电池转换效率已接近天花板，而 HJT 最高转换效率已超 26%（日 本 Kaneka 曾创 26.63%，国内最高为汉能的 25.1%），长期有望超 28%，效率优 势明显。
2) 工艺流程更简化，降本空间更大：HJT 为低温工艺，在硅片成本（利于薄片化 和减少热损伤）和非硅成本（燃料能源节约）上均更优。同时，HJT 只需 4 道 工艺，相比 PERC（8 道工艺）和 TOPCon（9-12 道工艺）成本更低。
3) 光致衰减更低：HJT 电池 10 年衰减率小于 3%，25 年发电量下降仅为 8%，衰减 速度远低于 PERC 及 TOPCon 电池。
4) 低温系数、稳定性高：在 82 摄氏度环境下，HJT 光电转换效率比传统组件高出 13%。
5) 双面率更高：HJT 为双面对称结构，双面率有望提升至 93-98%（PERC 和 TOPCon 均在 80%附近，但很难再提升），可获得 10%以上的年发电量增益。
◼ 回顾历史：异质结（HJT）电池最早由日本的三洋（Sanyo）公司于 1990 年研发，专 利保护于 2010 年过期。在过去 30 年间，产业经历了萌芽期、实验室阶段、初步的 商业化阶段和逐步的产业化阶段。
◼ 据不完全统计，目前 HJT 国内规划产能超 60GW，新老电池片厂商均有开始布局。安 徽华晟（500MW 量产线）、明阳智能（5GW 规划）、金刚玻璃（1.2GW 规划）、爱康科技 （3.4GW 招标规划）、润阳集团（5GW 规划）等已纷纷开始布局，历史包袱较轻。
传 统电池片厂商中，通威（金堂 1GW 量产线）、晶澳、东方日升、阿特斯、天合光能等 也已相继进入，加速从 PERC 向 HJT 的转型。
◼ 展望未来：预计 2020-2021 年将成为 HJT 投资元年，行业扩产规模将达到 10-15GW。 随着设备国产化、银浆和靶材成本的降低、以及转换效率提升带来的“增效+降本” 效益凸显，2022 年行业将进入快速爆发阶段、扩产规模有望达 30GW 以上。
2.2. HJT 设备：多技术路线“百花齐放”，国产设备厂将强力推动产业化进程
HJT 4 大工艺步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO 制备、电极制备，对应的设备 分别为清洗制绒设备、PECVD 设备、PVD/RPD 设备、丝网印刷设备,在设备投资额占 比分别约 10%、50%、25%和 15%。
1）制绒设备：主要是利用化学制剂对硅片进行清洗和表面结构化，核心设备是湿式化 学清洗设备。
➢ 主要厂商：日本 YAC、德国 Singulus、德国 RENA。捷佳伟创的清洗设备已完成样 机并交付。
2） PECVD（非晶硅薄膜沉积）：该步骤取代了传统 PERC 工艺中的扩散工艺，是构造异 质结结构的关键，难度、壁垒最高，价值占到全部设备的 50%，为异质结设备的核 心。
从技术路径上：板式 PECVD 是目前主流，管式 PECVD、Cat-CVD 具潜力。国外厂商 包括：梅耶博格（已不对外提供）、应用材料等。国内厂商包括：迈为股份、金辰 股份、捷佳伟创、理想能源、钧石能源等。
➢ 板式 PECVD：将多片硅片放置在一个石墨或碳纤维支架上，放入一个金属的沉积 腔室中，腔室中有平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在腔室中的工 艺气体在两个极板之间的交流电长的作用下在空间形成等离子体，分解 SiH4 中的 Si 和 H，以及 NH3 中的 N 形成 SiNx 沉积到硅表面。优势：技术最成熟，易实现大 面积均匀性，材料缺陷态密度低。
➢ 管式 PECVD：使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热 体，将一个可以放置多篇硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。优势：相比板式 PECVD，成本端有更大的下降空间。
➢ CAT-CVD：源气体分子在真空室中通过加热的催化剂进行催化裂化反应分解，并将 裂解的物质输送到基材上形成薄膜。
优势：相比传统 PECVD，转换效率提升潜力 大，对于源气体的利用率在 80%以上。且 Cat-CVD 理论上可在热丝两侧同时沉积， 生产速度更快。
3）TCO 薄膜设备-PVD/RPD：技术壁垒低于 PECVD，主要包括 RPD 和 PVD 两种的技术 路径设备。目前主流技术路线是用 PVD（物理气相沉淀），相较于 PVD，RPD 的效率和 质量更高，但是受制于日本住友公司对设备和靶材的垄断，成本较高。
➢ 国外厂商包括：瑞士 Meyerburger、德国 Vonardenne、德国 Singulus、日本住 友等。
➢ 国内厂商包括：迈为股份 PVD（MUP8K）设备已达到 8000 片/小时产能。捷佳伟 创通过与日本住友合作也具备了 RPD 设备的供应能力，工艺成熟，并推出了 PAR （RPD+PVD）二合一设备、在转换效率和成本端取得平衡。钧石能源、理想万里 晖均有 PVD 设备布局。
4）丝网印刷机：包括丝网印刷（包括丝网印刷机，烧结炉，分选机）和电镀铜电极 两种技术路线，目前以丝网印刷为主流。
电镀铜电极相较而言更便宜，但是工序较 多、工艺复杂、有废水处理难等问题，目前参与厂商较少。
➢ 国外厂商包括 Baccini（AMAT 的子公司）等。
➢ 国内厂商：迈为股份占主导地位，捷佳伟创、金辰股份也推出了相关产品。
◼ 目前，HJT 设备 4 大环节均已实现国产化。国内电池设备厂商（迈为、捷佳、金辰、 钧石、理想）已纷纷在 HJT 不同工序环节布局，实现小批量订单销售，推动 HJT 电 池行业加速前进。
◼ HJT 技术壁垒高、成本优化空间大，只有将设备做到极致的企业能最终胜出。行业可 能类似 PERC 时代，形成 2-3 家寡头垄断的竞争格局。
3.3. 展望未来：成本降低是核心！预计 2022 年将具备产业化性价比、行 业将爆发
◼ 电池片核心看单 W 成本：我们预计各项成本均有望在未来下滑，预计到 2022 年 HJT 将达到与 PERC 旗鼓相当的成本区间。4 大降本方向分别为：
1) 硅片：目前 N 型硅片对比 P 型具有约 8%左右的溢价空间，未来有望通过 2 方面降本。
➢ HJT 为低温工艺，利于硅片的薄片化（从 170um 降低至 120-130um）。预计硅片 每减薄 20um 价格可下降 10-15%，对应组件价格降低 5-6 分/瓦。
➢ 随着未来 N 型硅片需求起量，规模效应将缩小 N 型与 P 型硅片之间的溢价空间。
2) 设备折旧：随着国产设备的“降本+提效”，目前 4-5 亿/GW 的设备投资额仍有较大的 降本空间。
3) 浆料：HJT 需使用低温银浆，目前主要依赖进口，有望通过 4 大方向降本。
➢ 无主栅、多主栅技术在 HJT 电池、组件上的应用，使得银浆的耗量快速减少。
➢ “银包铜技术”商业化量产，将降低银浆耗量 30%。
➢ 通过对串焊设备精度的提升，减小银浆主栅上焊接点的大小（银浆主栅上耗银 量较高的部分），从而节省主栅上的银浆耗量。
➢ 国产低温银浆起量（常州聚和、苏州晶银、浙江凯盈等），打破日本垄断，相比 高温浆料的溢价将大幅消失。
4) 靶材：目前主要被日本住友垄断，未来将通过提升靶材利用率、规模化回收、背面 AZO 替代和国产化（广东先导、壹纳光电等）降本等方式解决。
◼ 据测算，对比 PERC 电池目前约 7 毛/瓦的不含税总成本，HJT 电池仍有 2 毛/W 的成 本劣势。
预计随着设备厂商的技术进步（如转换效率和节拍的提升）、银浆、靶材的 国产化（已有多家国产厂家布局）、硅片的薄片化（N 型硅片厚度降至 120-130μm）， 将共同推动 HJT 技术的真实降本，使得经济性进一步凸显，预计到 2022 年 HJT 将达 到与 PERC 旗鼓相当的成本区间。
◼ 伴随 HJT 电池产业化经济性逐步接近、超越 PERC 电池，预计 2021 年将有 10-15GW 的 HJT 扩产潮，2022 年将迎来 30GW 以上扩产潮，产线建设进入加速期。
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