三菱电机在PCIM 2011展上推介最新的Smart-1系列IGBT模块

三菱电机最新开发的Smart-1系列IGBT模块，将首度在6月21日至23日于上海国际会议中心举行的PCIM 2011亚洲展（展位号A78-A87）中亮相，连同其大受市场欢迎的V1系列IPM、新型PV-IPM和新型MPD系列模块，向参观者展示其强大的变频工业技术，为客户提供面积更小、损耗更低、和容量更大的功率模块。

三菱电机的最新开发的Smart-1系列IGBT模块，采用第6代CSTBTTM硅片技术和自动压接装配技术。模块的饱和压降低，功率损耗低，且硅片结温可高达175°C，硅片运行温度最高可达150 °C。

Smart-1系列IGBT模块主要应用于工业变频电机驱动和伺服驱动，已开发出的模块电路拓扑有两种，一种是整流逆变制动的CIB（Converter Inverter Brake），另一种是6合1模块。其中，CIB模块的电流/电压等级有15A~35A/1200V，6合1模块的电流/电压等级有25A~50A/1200V。
 

图片说明：Smart-1系列IGBT模块的照片

近年来为了更有效的利用能源，频率可调的变频器广泛使用于工业电机的驱动控制系统。变频器的输出部分普遍采用内置驱动电路、保护电路的功率半导体模块IPM来高速开关电流。因此需要损耗低、功率大且尺寸小的IPM。

三菱电机在1998年推出工业用2单元V系列IPM。现在推出大功率电机用的低损耗小型V1系列IPM，可用于37kw以上的变频器和15kw以上的伺服驱动器等。新的V1系列IPM把三菱电机早期的2单元S系列和V系列IPM统一成两种封装，采用CSTBTTM硅片具有低损耗的优点，最优化的集成在硅片上的温度传感器，功率循环能力较以前的产品相比得到显著提高。电压分别有600V和1200V两个等级，电流从200A/1200V到800A/600V，产品丰富。V1系列IPM使得变频器的功率损耗与老产品相比降低约20%（PM300DV1A120与PM300DVA120相比较）。另外，V1系列IPM在每一个硅片上都有温度传感器用于检测温度，与老产品V系列IPM相比，新的V1系列IPM的温度保护功能得到增强。