美科学家新发现:新型碳晶体管胜过非晶硅

   在室温处理半导体的技术可能使诸如电子布告板这样的大规模应用以及像可任意使用的RFID标签这样的超低成本应用成为可能。但是，大多数室温晶体管具有几百cm2/Vs(平方厘米/电压.秒)的低电子移动率。

    现在，乔治亚州科技大学的研究人员声称，通过利用碳-60(C-60)薄膜―也称为巴克球或富勒思―制作晶体管的沟道，找到了一种制作比非晶硅速度快100倍的室温晶体管的完美方法。

    “我们并没有声称我们是第一家在室温下制作C60晶体管的实验室，”乔治亚科技大学的教授BernardKippelen说，“我们工作的创新在于：我们能够证明在室温处理下获得3-5cm2/Vs这么高的移动率的同时，能够获得良好的可再现性、良好的稳定性、低阀值电压以及大的开关电流比。”

    全球的实验室均在追踪研究室温处理技术，以便利用廉价、高产的滚转压力及喷墨打印技术，制造大型显示器以及像RFID这样的低成本应用产品。那样就不需要清洁室这样昂贵高价的处理设备。许多方法在利用有机材料制作晶体管的同时，尝试利用新材料的形成来增加电子移动率的途径。

    其它一些方法已经实现了高于乔治亚科技大学小组的电子移动率，但是，只是通过高温创建有机晶体管。Kovio公司已经为利用滚转制造技术，通过喷墨方法开发了用于制造薄膜晶体管的无机硅，尽管制作温度远远高于塑料衬底能够承受的温度。