薄膜晶体硅太阳能电池的潜力

　　如果效率和成本目标能够实现，薄膜晶体硅太阳能电池有潜力替代目前在光伏市场上占主导地位的多晶硅太阳能电池。

　　目前在工业上，硅的成本大约占硅太阳能电池生产成本的一半。为减少硅的消耗量，光伏（PV）产业正期待着一些处于研究开发中的选择方案。其中最显然的一种就是转向更薄的硅衬底。现在，用于太阳能电池生产的硅衬底厚度略大于200mm，而衬底厚度略小于100mm的技术正在开发中。为使硅有源层薄至5-20 mm，可以在成本较低的硅衬底上淀积硅有源层，这样制得的电池被称为薄膜晶体硅太阳能电池。为使其具有工业可行性，主要的挑战是在适于大规模生产的工艺中，怎样找到提高效率和降低成本之间的理想平衡。已经存在几种制造硅有源层的技术1，本文将讨论其中的三种。

　　薄膜PV基础

　　第一种技术是制作外延（epitaxial）薄膜太阳能电池（图1），从高掺杂的晶体硅片（例如优级冶金硅或废料）开始，然后利用化学气相淀积（CVD）方法来淀积外延层。除成本和可用性等优势以外，这种方法还可以使硅太阳能电池从基于硅片的技术逐渐过渡到薄膜技术。由于具有与传统体硅工艺类似的工艺过程，与其它的薄膜技术相比，这种技术更容易在
现有工艺线上实现。

　　第二种是基于层转移（layer transfer）的薄膜太阳能电池技术，它在多孔硅薄膜上外延淀积单晶硅层，从而可以在工艺中的某一点将单晶硅层从衬底上分离下来。这种技术的思路是多次重复利用母衬底，从而使每个太阳能电池的最终硅片成本很低。正在研究中的一种有趣的选择方案是在外延之前就分离出多孔硅薄膜，并尝试无支撑薄膜工艺的可能性。

　　最后一种是薄膜多晶硅太阳能电池，即将一层厚度只有几微米的晶体硅淀积在便宜的异质衬底上，比如陶瓷（图2）或高温玻璃等。晶粒尺寸在1-100mm之间的多晶硅薄膜是一种很好的选择。我们已经证实，利用非晶硅的铝诱导晶化可以获得高质量的多晶硅太阳能电池。这种工艺可以获得平均晶粒尺寸约为5 mm的很薄的多晶硅层。接着利用生长速率超过1 mm/min的高温CVD技术，将种子层外延生长成几微米厚的吸收层，衬底为陶瓷氧化铝或玻璃陶瓷。选择热CVD是因为它的生长速率高，而且可以获得高质量的晶体。然而这样的选择却限定了只能使用陶瓷等耐热衬底材料。这项技术还不像其它薄膜技术那样成熟，但已经表现出使成本降低的巨大潜力。

　　采用薄膜PV技术已经能够提高太阳能电池的效率或简化其工艺，并将降低其成本。但目前还没有人能够同时将这两方面结合起来。然而，最近的一些研究结果已经在正确的方向上又前进了必要的一步。

　　外延电池的改进

　　外延薄膜硅太阳能电池的效率不算太高（半工业化丝网印刷技术制作的电池约为12%），这限制了光伏业界对这种电池类型的关注程度。它可以获得与体硅太阳能电池相当的开路电压和填充因子（单晶硅太阳能电池为±77.8%）。然而，短路电流（Jsc ）受限于薄的光学有源层（<20mm）。穿透外延层的光会被高掺杂、低质量的衬底收集而损失掉。因此，这两种太阳能电池技术之间的短路电流相差7 mA/cm2并不少见。体硅太阳能电池的Jsc典型值约为33 mA/cm2，而外延薄膜电池的平均值约为26 mA/cm2。

　　然而，两项独立的电池级开发成果已经使这种状况有所改善2。通过增大薄的有源层内的光程长度，我们报导的丝网印刷外延电池的Jsc达到30 mA/cm2，效率达到13.8%。

　　对这些结果有贡献的第一项改进是采用氟基等离子体粗糙处理得到的表面光散射（图3）。理想情况下，这种经过粗糙处理的有源层表面会使光100%地漫射（即Lambertian折射器）。这使得光子能够以60°的平均角穿过有源层，使光程长度增大为原来的2倍。换而言之，使20 mm薄层的光学表现相当于40mm厚的有源层。我们发现，通过去除仅仅1.75 mm的硅就可以获得这种全光散射。等离子体粗糙处理的优点很多，包括更低的反射（从粗糙处理之前的35%下降到10%）、斜入射光耦合和更低的接触电阻（因为硅衬底和银电极之间的接触面积更大）。我们观察到1.0-1.5的Jsc绝对增长，而效率增加0.5-1.0%。

　　第二项改进是通过引入多孔硅布拉格反射器来进行内部光捕获。为了降低长波长的光进入到衬底的透射，在衬底和外延层之间的界面上放置一个中间反射器。这样一来，到达该界面的光子就会被反射而第二次穿过有源层。由于光在进入电池的瞬间就开始漫射（这是由等离体粗糙处理的Lambertian特性所决定的），很大比例的光子会以大于逃逸角的角度打在前表面上。因此，大部分的光子会再次向内反射而第三次穿过有源层。这种情况不断地重复，使得光子