道氏技术与电子科技大学签署超薄金属锂负极研发合作协议

12月11日，道氏技术公告，道氏技术与电子科技大学签署《项目技术委托开发合同》，道氏技术将委托电子科技大学进行超薄金属锂负极的研发，包括单面/双面锂覆铜超薄锂负极带材的开发和自支撑超薄锂负极带材的开发。此次合作旨在开发低成本、卷对卷的新型量产制备，开拓超薄锂负极在高能量密度、高安全性锂二次电池，包括固态锂电池中的应用。

道氏技术表示当前，金属锂负极在固态电池领域商业 化应用面临诸多困难，活性层厚度小于20μm超薄锂负极难于量产制备，且超薄 金属锂的制备成本高，不利于固态锂电池的商业化推广应用。本项目针对这些 问题，开发低成本、卷对卷的新型量产制备，应用连续化、大面积、超薄化制 备工艺，实现超薄锂负极活性层最大厚度不超过20μm，生产成本远低于传统的 机械辊压法。开拓超薄锂负极在高能量密度、高安全性锂二次电池，包括固态 锂电池中的应用。