3月21日,高温超导硅单晶设备及晶体生产项目在宁夏回族自治区银川经济技术开发区开工。
据悉,该项目计划总投资100亿元,占地面积430亩,分三期建设,其中一期计划投资30亿元,形成年产4万吨高品质单晶硅、年产600台高温超导光伏级单晶硅生长设备的生产能力。一期项目建成后,可实现年销售收入35亿元,年利税3.5亿元,带动就业1000余人。二期总投资30亿元,建设年产200台高温超导半导体级单晶硅生长设备制造、1万吨高品质半导体级硅晶体生长、切片项目。三期总投资40亿元,建设高品质半导体级抛光片、退火片项目。
银川经开区围绕“中国新硅都”建设,已形成拉晶—切片—电池及坩埚、炭炭、串焊、支架等完整的产业链条,具备单晶硅棒147GW、硅片90GW、单晶电池15GW、光伏坩埚69万只、支架80万吨产能。
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