准单晶硅太阳能电池技术调研

5 准单晶硅片基本参数

以凤凰光伏准单晶硅片为例，其基本参数是：
1) 导电类型：P型
2) 尺寸为156×156mm
3) 电阻为0.5—3Ω.cm，
4) 少子寿命≥2μs，
5) 厚度为200μm±20和180μm±20两种，
6) TTV≤30μm,
7) 弯曲度≤15μm，
8) 大晶粒晶向<100>±5o
质量好的单位准单晶硅锭按照切片后同一晶向晶粒所占硅片面积的比例大
小可分为A、B、C三个质量等级区域：
A区：占硅锭比例为16%，同一晶向晶粒面积占硅片面积50%以上
B区：占硅锭比例为48%，同一晶向晶粒面积占硅片面积70%以上
C区：占硅锭比例为36%，同一晶向晶粒面积占硅片面积90%以上
6 准单晶电池片效率
准单晶硅锭中A、B、C区制成的电池片获得了不同的技术参数，具体如下：
A区：转换效率为16.61%；比普通多晶高0.1%—0.2%
B区：转换效率为17.02%；比普通多晶高0.4—0.6%
C区：转换效率为17.32%；比CZ单晶低0.2—0.4%
在准单晶正常投料的情况下，平均衰减为0.4%—0.6%
其中，多晶电池片效率基准为16.5%，单晶电池片效率基准为17.6%。
在凤凰光伏将试产单晶硅片送至相关的电池生产商，在大生产线投放后得到的数据基本相同，光衰减为0.5%。
7 准单晶电池片生产技术

7.1 凤凰光伏

凤凰光伏不仅在准单晶硅片制造方面已经实现量产，而且在与其客户在利用准单晶硅片生产电池片技术上也进行了探讨。凤凰光伏首席技术官石坚表示，推荐电池生产商A、B区进行酸制绒，C区进行碱制绒。未来，凤凰光伏将与其客户进一步探讨酸碱混合制绒的技术，这样每片的平均效率将超过17%，这样就彻底超越了单晶硅片。

7.2 一种准单晶硅片的制绒方法——发明专利（晶澳）

2011年4月晶澳太阳能针对准单晶硅片的制绒技术公布了一项发明专利。专利中提出：对于准单晶硅片而言，由于长晶控制和切割位置等的影响，在硅片中除了（100）晶面，通常不可避免的出现部分其它晶向的晶粒，即为随机生长的多晶晶粒，单一的碱制绒或者酸制绒都无法实现良好的织构化效果。因此，对于这类硅片的电池片制作，制绒工艺需结合酸、碱制绒的优势。具体实施过程中需根据准单晶硅片中（100）晶向晶粒所占的比例，调节酸、碱制绒的程度，以达到最好的综合制绒效果。以下内容截自此发明专利，以供参考。