TetraSun的Cz单晶硅获得SunShot光伏孵化器奖金

TetraSun近日宣布其单晶丘克拉斯基法(Cz)硅成功获得美国能源部SunShot计划光伏孵化器奖金后现已可以投入生产。其中的细节尚未透露。自2009年建立以来，TetraSun从股权和战略客户投资商那里融资1200万美元。

该公司宣布合同中所有交付产品的电池全面积效率最小达20%，还通过了IEC 61215的可靠性测试。交付日提前，并且产品获得了能源部国家可再生能源实验室(NREL)认证。

TetraSun电池概念的基础是被该公司称为“创新表面钝化技术”。使用了40um宽的铜电极而非宽幅印刷银金属。生产流程无需使用特殊设备，电池Voc值超过700mV的成果是在单晶CCz培养硅上实现的。

TetraSun设备工程副总裁Oliver Schultz-Wittmann博士说：“该技术的性能超过了156mm电池上的传统异质结电池技术，而且无需透明导电氧化物或特殊组件组装，这在大量生产TetraCell时是非常重要的优点。”

2010年TetraSun获得了能源部授予的230万美元资助，支持背面钝化技术的研发。

Schultz-Wittmann继续说：“这始终是一项变革性的技术，以最低的成本生产出最高效率的产品，使太阳能真正成为能源供应中的一部分。凭借投资商和能源部的支持，我们现在能够实现小规模生产，不久就会兑现此项技术的所有承诺。

去年，GT Advanced Technologies曾宣布欧洲光伏生产商对其CCz培养技术产生了浓厚兴趣。