两毛钱，单晶VS多晶太阳能组件的生死战争

（四）倒角的影响

正常情况下，如果都是同样面积156*156 的硅片，同样的加工费在一张电池片单晶可以轻松的做出比多晶多出不少的峰瓦值。但是单晶要倒角，所以同样是156*156 的硅片，单晶的面积要小一些。单晶面积是23800-23900 平方毫米，而多晶正常水平是24336±1 平方毫米，取单晶最小面积是23800 平方毫米，单晶面积：多晶面积=0.977975，多晶面积：单晶面积=1.022521。

下表中第一列是单晶的转换效率，第一行是多晶的转换效率。主表数据为电池瓦数比。计算方法：电池瓦数比=多晶转换率*多晶面积/（单晶转换率*单晶面积），本表可以对比到最终组件，但是要考虑单晶和多晶的封装损耗是有差异的。
 

从表中可以看出，电池瓦数比小于1 时说明同一张硅片单晶要比多晶的瓦数要多，只要单晶比多晶的转换效率高0.5%，就可以保持住瓦数优势。正常情况下，单晶和多晶如果同时做到一样的瓦数的电池片，两者的成本差在0.2 元/片左右，这是无法消除硅片间的价格差，也无法消除两者的硅锭的加工差的。

所以未来的竞争同样面积的组件单晶最好能比多晶高出5%-10%，而电池转换效率的提升是和成本相关，在此不做详细讨论。