三洋半导体上市新型双极晶体管，“封装面积减小80％、耗电量降低55％”

　　三洋半导体于2009年7月17日上市了与该公司原产品相比封装面积减小80％、耗电量降低55％的双极晶体管“ECH系列”。封装面积为2.9mm×2.8mm。在该尺寸的产品中，“耗电量业界最低”（该公司）。主要面向便携产品、平板显示器和太阳能电池等的电流电路。

　　为了降低耗电量，该公司分别改进了封装和芯片。封装方面，采用了通过铜引线连接的“夹焊(Clip Bonding)”而非线焊（Wire Bonding），从而将外形电阻减少了80％。芯片方面，采用了三洋半导体自主开发的技术――基于双层电极构造的“MBIT-W（Multi-Base Island Transistor -Wireless）”工艺，扩大了芯片的有效工作范围。

　　此次上市的产品包括NPN型的“ECH8201”和“ECH8202”以及PNP型的“ECH8101”和“ECH8102”。ECH8201的耐压（集电极与发射极间的最大电压）为＋50V，最大集电极电流为10A。ECH8202的耐压为＋30V，最大集电极电流为12A。容许损耗为1.6W。此外，还备有与MOS FET一体化的“ECH8901”。

　　所有产品均从2009年7月开始样品供货。样品价格最低为50日元。预定从2009年8月开始量产，月产100万个。（记者：佐伯 真也）