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7月中旬，日本光伏组件制造商京瓷集团一纸诉讼将韩华QCells旗下日本公司状告至东京地方法院，关于太阳电池“三栅线电极构造”的专利侵权争执案正式上演，不同于欧美“双反”策略，本土认证保护与专利壁垒成为日本对外来竞争者的无声宣言。
专利壁垒
2012年，京瓷公司对外宣布获得了“三栅线电极结构”专利，专利号4953562于当年3月在日本发行，是其追溯到2004年的多晶硅太阳电池17.7%创纪录转换效率的关键。
该项专利的申请对当时普遍使用三栅线电极的组件生产商均构成了潜在的诉讼风险，也是从那时开始，为今天的专利诉讼埋下了伏笔。
2012年以来，日本光伏市场日渐增长，2012年光伏发电市场规模达到约1万亿日元，年度太阳电池板供货量约4GW，2013年度则翻倍至约9GW。日本因其较完善的政策补贴、最高的ASP价格吸引了众多光伏企业，成为全球光伏组件制造商争相进入的潜力市场。
除了韩华Q Cells日本分公司，First Solar日本分公司、REC Solar、尚德电力、晶科能源、中电光伏、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能、航天机电、正信光伏、海润光伏、亿晶等业内知名企业都相继进入日本市场。
这对日本本土光伏组件制造商而言，加剧了竞争同时带来了压力。
根据JPEA数据，虽然日本民众普遍支持日本本土品牌的高品质产品，然而，一定程度上由于日本制造设施产量有限，组件的供应与需求存在空间，近年国外公司持有的市场份额正在稳步提高。
6月，京瓷宣布将提高今年的光伏组件产量到1.4GW，较2013年1.2GW做了增加。近段时间韩华Q Cells在日组件销售增长，京瓷在此期间提起诉讼耐人寻味，京瓷还表示，将寻求与其他“各方”就侵权索赔进行协商。
应对
京瓷提到的“各方”引起了广泛的业内反应，基于此前业内众多公司均生产三栅线结构电池，因此上述销往日本的组件厂商很有可能成为下一个被京瓷诉讼的对象。
据PV－Tech了解，为了应对潜在的专利风险，在京瓷宣布专利后，中国多家光伏组件制造商均引起了关注，并开始采取各自的规避措施。
比较多的一个规避方式是增加电池栅线，比如四主栅、五主栅。2013年晶澳太阳能、中利腾辉、尚德电力、力诺光伏、中电光伏等业内知名光伏公司纷纷推出了四主栅、五主栅电池及组件。
力诺光伏开发的四主栅电池片，主流档位封装组件功率253.7W，力诺光伏称其在正面电极设计方面大幅区别于京瓷专利，四栅线电池的填充因子较三栅线电池提高1%以上。
与力诺光伏异曲同工的还有中利腾辉，其高效单多晶四主栅电池组件系列在2013年初被研制成功，也称其正面电极设计明显区别于京瓷专利。
中利腾晖营销副总Frank表示：“此次日本知名企业在这个时间点提出’三栅线电极结构’专利大战，对于其他厂商而言是一个危机信号。中利腾晖拥有自主知识产权并已在中国及日本市场获得专利认可的四主栅电池，2013年已开始大规模向日本客户出货四栅组件。”
南京中电光伏直接将太阳电池做到了五栅线，中电光伏研发创新工厂（中电电气南京电力科技有限公司）总经理吕俊博士在接受PV－Tech采访时表示：“在京瓷宣布专利之前，2010年底中电光伏已经立项研发’五主栅电极结构’，2012年上半年研制出首批样品，2012年底正式商用化批量生产，同时已经在中国取得五栅技术专利。”据吕俊介绍，中电分别用“Waratah”和“QSAR II”为五栅多晶与单晶电池片命名，并计划将这项专利在国际上获得认可。
“以当前电池、组件的生产工艺技术来看，多主栅设计方案当中，五主栅设计正好是成本和性能曲线上的拐点。再增加主栅数量，所获得的性能方面的收益将低于生产成本的增加。因此，五主栅设计是最合适的设计方案。以后再要进行突破，就需要重新配备一套新的工艺路线和生产设备。”吕俊补充道。
更改电池表面设计，是否可以规避京瓷的专利壁垒？
吕俊回答道：“如果只是更改表面设计以及副栅设计来规避专利风险，恐怕还有一定的难度，根本解决办法还是在主栅线设计上，或者是主副栅线搭配设计上进行创新。”
栅线分布在太阳电池正面，近两年由于设备的进一步更新、导电浆料的进一步升级，细栅、多栅太阳电池技术成为在现有生产设备和生产工艺的基础上，研究开发高方阻细栅密栅晶硅太阳电池的一种技术，这项技术基本不会增加材料与工艺成本，只需在电池测试设备与自动焊接设备上做少量升级，如今四主栅、五主栅组件有形成主流的趋势。
伴随这种趋势，关于专利的纠纷也逐渐浮出水面，引起了企业重视。京瓷宣布获得三栅线电池专利，中利腾辉宣布取得四栅线电池专利，中电光伏宣布在中国已经取得五栅技术专利，并计划今年年底取得全球技术专利，而其他各家光伏组件制造商均生产三栅至五栅电池。
如何规避专利壁垒又如何反规避，企业之间将展开一场拉锯战。据了解，京瓷向东京法院提交诉讼申请后，正在做进一步的交涉，但并未给出该侵权的进一步细节。
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