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注1）收购价格为每股40美元，与过去3个月的平均股价相比，溢价47.7％，与2014年8月19日的收盘价相比，溢价50.6％。各项收购手续将于2014年底至2015年初完成。
英飞凌虽是功率半导体行业最大规模的企业，但其市场份额在2012年不过11.8％（表1）。第二名以后的企业也只占几％的份额。2012年，排在第六名的IR公司的份额为5.5％，通过这次收购，英飞凌的份额将达到近20％，在业内遥遥领先。
从销售额来看，英飞凌2013会计年度（2012年10月～2013年9月）的销售额为38亿4300万欧元。IR公司2013年7月～2014年6月的销售额为11亿660万美元，两家公司的销售额简单相加，约420亿元人民币。
产品和销路呈互补关系
英飞凌希望通过此次收购扩充产品组合和扩大销路。该公司与IR公司的产品群和技术重叠的很少。比如，在Si功率半导体方面，英飞凌擅长耐压1kV以上的IGBT芯片以及采用该芯片的功率模块等大功率用途的功率半导体。这些功率半导体适用于汽车、铁路、光伏发电、风力发电及工业设备等用途。
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而IR公司擅长耐压1kV以下的功率半导体。比如，低耐压IGBT、小型智能功率模块（IPM）、DC-DC转换器用多芯片组件（MCM）等。这些适用于白色家电及AV设备等。
在Si的下一代材料方面，双方技术也很少有重叠。英飞凌正着手研发SiC，而IR公司正着手研发GaN，而且都是各自领域的领军者。
英飞凌于2001年业内领先投产了SiC二极管。IR公司于2010年业内领先投产了配备GaN功率晶体管的MCM。
SiC主要用于耐压1kV以上的用途，GaN主要用于耐压1kV以下的用途。也就是说，通过这次收购，英飞凌不仅能用Si材料，还能用GaN材料，生产出从小功率到大功率覆盖广泛用途的功率器件。
英飞凌还希望扩大销路。英飞凌对IR在美国市场上的“强大影响力”尤其充满期待。另外，通过这次收购，还可以帮助英飞凌强化在亚洲市场上的地位。（
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