意法半导体推出可提高光伏发电逆变器效率的1200V耐压功率元件

意法半导体公司(STMicroelectronics)12月1日发布了光伏发电逆变器（PCS）用的1200V耐压新型绝缘栅双极晶体管（IGBT）。

1200V耐压的新型绝缘栅双极晶体管封装外观。（摄影：意法半导体公司）

该IGBT为进一步降低通态电压，减少开关损耗，提高了沟槽栅场终止结构水平。由此可大幅提高逆变器的坚固性和转换效率。

通过优化导通特性和断路特性，并降低开关侧发生的断路损耗，使之成了最适合硬开关电路（可直接切断及导通直流电的开关）的绝缘栅双极晶体管。因能使切断电路时的超电势最小化及消除振荡，因此不仅可减少电力损失，还可简化电路设计。

工作温度范围比原有产品高，最高可达175℃。在150℃下工作时的耐短路时间为10微秒（μs：百万分之1秒）。