中科院首次利用压电光电子学效应最优化硅基光探测器的性能

近日，中国科学院北京纳米能源与系统研究所王兆娜博士，于若蒙和温肖楠等人在王中林院士的领导下首次实现了压电光电子学效应优化的硅基可见光传感器。这项工作首次利用压电半导体的压电效应来调控非压电半导体材料硅的光电性能，并在实验上首次观察到压电光电子学效应对光电流调控的最优化效果。在压电光电子学效应的调控下，光探测器的响应相对增强了177%，同时响应时间也相对缩减了87%。这项研究结果为非压电材料的光电性能的调控开启了一种便于操控的新途径，并进一步拓宽压电效应在非压电材料中的应用。相关研究成果发表在ACS Nano杂志上（DOI 10.1021/nn506427p）。

论文通讯作者王中林院士是中国科学院北京纳米能源与系统研究所首席科学家，研究所是由中国科学院和北京市联合共建的科研机构。