顶级科研院所齐聚CSPV大会：单晶综合成本低于多晶

11月26日，第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会（CSPV）在浙江杭州举行，来自浙大、西安交大、上海交大、新南威尔士大学、中科院、甘肃自然能源研究所等业内顶尖科研院所的专家和国内一线光伏制造企业技术领袖惊艳亮相，超过600名专家学者行业人士齐聚一堂，会场座无虚席。

在上午的大会主题论坛中，详细讲解隆基股份大容量快速拉晶和金刚线切片工艺、乐叶光伏PERC单晶电池产业化进程及未来2-3年结合MWT、N型工艺进一步提升组件功率的技术实现路径，未来3年内单晶硅片与多晶硅片的非硅成本将趋于一致，结合单晶显著的转换效率优势，将大幅度提高单晶市场份额。
光衰减现象可以通过多种方式有效控制

只有当硼和氧杂质同时存在时才会发生光衰减现象，通过降低氧含量、降低硼浓度、用掺镓取代掺硼、使用N型硅晶体、高温热处理、使用同族掺杂硅晶体都可以实现光衰减抑制。余教授特别指出，浙大研究成果表明，第三态的生成能有效控制直拉单晶太阳电池的光衰减效应。

单晶组件高可靠、低衰减、低投资，市场需求回归

高温对组件输出功率的影响可能高达10%以上，同样条件下的单晶组件温度平均比多晶组件温度低5-10摄氏度，因此单晶在高温下的功率损失较少。李所长引用了使用30年以上的甘肃、云南、日本光伏电站案例证实了单晶组件的长期可靠性，引用日本京瓷组件样本测试数据表明单晶组件29年的平均衰减仅16%，与多晶组件和薄膜组件相比，单晶的衰减率较低，具有显著优势。在组件质量方面，多晶硅电池的结构强度比单晶硅电池要差，因而多晶硅电池更容易发生隐裂。在电站成本方面，使用国内一线品牌的单晶组件和多晶组件，单晶组件价格会比多晶组件高0.1元/W，但是在BOS成本方面单晶会显著节约，做成系统以后，单晶电站每瓦投资比多晶电站低0.15元/W。电站投资需要考虑的是综合投资成本而不是某一个设备部件的采购成本。单晶硅的市场份额正在回归，因为它有很多新的技术在往前推，而多晶硅还在使用传统的PN结，所以单晶的市场前景会更加广阔。

相同功率的多晶组件比单晶组件在应用中的发电量低

浙大硅材料重点实验室对300W标定功率的单晶组件和300W标定功率的多晶组件进行比较，发现多晶比单晶年发电量少15%。在100-60mW/平方厘米光照下，多晶电池相对效率比单晶电池衰减更快，其差异主要由相对开路电压的差异所致。室温下多晶硅中位错网络和晶界等深能级结构缺陷复合活性随载流子注入浓度降低而升高，对饱和电流和短路电流均有影响。