拓?：2010年半导体产值成长10% 聚焦砷化镓以及节能IC

拓?半导体研究中心副理刘舜逢表示，虽然今(2009)年半导体受到上半年的景气急冻影响，全年产值仅达2072亿美元，成长率只有-16.7%的成绩单，不过在各国政府积极救市政策下，预估明(2010)年全球半导体产值可成长10%，回到2280亿美元水准。
 
刘舜逢认为，由于地球气候逐年快速变迁，绿能产业势将成为未来关注焦点，「节能减碳」议题正夯，全球政府与民间企业纷纷推行相关政策以因应产业发展，欧盟将2012年针对所有进口消费性电子产品，实施符合「EuP 5 Star Charger」规范，此规范主要是提升电子产品的「节能效率」，也成为节能IC的一个助燃剂，提高类比IC厂切入台厂的新机会。

刘舜逢看好台厂切入AC/DC的领域，认为法规的带动，将使新的类比IC设计厂有机会切进大厂或外国厂的供应链；另外由于太阳能产业未来成长性仍高，因此在系统业者追求高效率的输出效能趋势下，台厂也将有机会切入太阳能的IC供应链。

由于台湾类比IC产值距离全球产值规模仍有一段不小的距离，刘舜逢认为，台湾类比IC厂产值不大的原因，除了切入大厂供应链有一定难度，产品的认证也需要时间，加上没有切入车用市场，因此规模不大，但看好节能法规带动下，台厂可望切入AC/DC供应链，提高产值规模。

另外，由于砷化镓(GaAs)是半导体材料的一种，具有高频、抗辐射、耐高温等特性，可做为高频及无线通讯之IC元件，其中最主要应用在行动电话与无线网路产品，随着手机通讯以及安全防御、消费性电子、光纤与汽车等无线应用领域需快速增加，预估砷化镓市场将在明年开始回温，2013年整体砷化镓与微电子元件市场平均年复合成长率约为 6 %，市场规模可达45亿美元。