黑硅技术助力多晶硅片保持市场主导地位

5月24日，在第十届上海SNEC论坛光伏科学家大会上，保利协鑫CTO万跃鹏博士以“多晶靠什么保持市场领先”为主题，系统性阐述了多晶硅片在市场上保持长期优势的原因以及目前多晶硅片发展的现状。他认为，多晶硅片通过黑硅技术的应用推广，在未来五到十年内还将占领市场主导地位。

万跃鹏表示，黑硅技术应用于金刚线切硅片制绒将成为未来多晶硅片的一个发展方向。金刚线切割多晶，可以使单位重量出片数增加约17%，硅片成本下降约15%（0.4-0.6元/片），保持多晶硅片在成本上的优势；黑硅技术则能有效提高组件功率，其中干法（RIE）黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%，处于实验阶段的湿法（MCCE）黑硅可促进电池效率提高0.2%-0.4%。

一直以来多晶在市场上都占有着绝对优势，其原因归功于多晶硅片的高性价比，万跃鹏援引数据指出，高效多晶技术不断优化晶体结构，目前多晶在晶体缺陷方面与单晶的效率差异大幅降低到0.2%左右，就客户端表现情况来看，单晶与多晶之间并无明显差别。加之铸锭产能提升和结构线等技术对多晶成本的进一步降低，使得多晶能够保持市场优势。但近两年来单晶技术的发展使得单晶成本有明显下降，给多晶造成一定压力。多晶亟待进一步的技术升级，才能继续以性价比优势主导光伏市场。

万跃鹏表示，除黑硅技术和金刚线切割以外，多晶路线还有其他技术优势。他以鑫多晶S4为例指出，多晶可以通过增加铸锭尺寸，有效降低成本；可以通过应用高纯坩埚等先进辅材，有效解决多晶黑边和转换效率问题；可以应用全新的共掺杂技术，彻底解决多晶电池的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间；可以优化尺寸设计，有效提高后端组件的输出功率。这些成功的技术尝试，说明了未来多晶路线具备更宽广的发展空间。他同时也希望，正在被大规模产业化的PERC电池能够成为多晶硅片又一个发展舞台，在多晶领域将得到更广泛的应用。万跃鹏由此预测，未来五到十年内，多晶通过技术升级，还将不断提升转换效率，降低发电成本，以高性价比和技术优势，将继续占领市场主导地位。