SiC晶种籽晶碳化硅长晶晶片衬底半导体专用
产品介绍:
SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的首选半导体材料。然而生长优质的SiC单晶非常困难,其中第一要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。
合能阳光提供的SiC晶种,可充分满足不同需求的客户,优质的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了可靠的保障。
标准技术参数:
型号:4H-N/Si 6H-N/Si
等级:工业级 研究级
直径:2寸 4寸 6寸
厚度:330 μm±25μm 500μm±25μm
晶片方向:Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si
微管密度: ≤ 5 cm -2
电阻率范围:0.0015-0.1Ω·cm
主定位边方向:{10-10}±5.0°
次定位边方向:Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°
边缘去除:2mm
局部厚度变化/弯曲度/翘曲度:≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm
表面粗糙度 :抛光Ra ≤ 1 nm 清洗 Ra ≤ 0.5 nm
裂纹(强光观测):无
六方空洞(强光灯观测):面积 ≤ 0.05%
多型(强光灯观测):无
目测包裹物(日光灯观测):面积 ≤ 0.05%
划痕(强光灯观测): 无
崩边:无
表面污染物(强光灯观测):无
包装:真空盒装
典型客户:
美国,欧洲,亚洲及国内SiC晶体生产和衬底企业。