红外探伤测试仪

NIR-01-3D红外探伤测试仪

NIR-01-3D型红外探伤测试仪是采用欧洲CNC工程铝合金材料，其表面都采用了高强度漆面和电氧化工艺保护，系统外框采用高质量工业设计，所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及最小维护量的要求，做到绝对的稳定性和耐用性。

■采用铟镓砷传感器，而非一般厂家采用固定值的模拟摄像管，具有硬件图像校正和计算机参数控制的功能（包括亮度，伽马，积分时间），其灵敏度好，探伤结果与实际情况一致性佳。不需为不同尺寸的硅块设置不同的硬件参数（探伤位置，聚焦点，校准）

■我们的软件系统为不同硅块的表面情况及尺寸提供设置菜单，没有必要在硬件上进行设置（当然我们也可以从硬件上进行设置）。

■光源探照有效同质区域为300×330mm/550mm，我们采用了特殊扩散板材料，保证了在没有图像处理的情况也能确保成像质量。

■不仅可以探测标准尺寸的硅块，而且可以探测任何尺寸的硅块，没有光源照射区域限制。

■也可直接对未抛光的硅块进行直接探测。

■红外照相机３年免费保修或更换的承诺

■我们采用的是独特的含有冷却单元的工业级镀金近红外卤管，保证了光源的持久耐用性，设备已经不采用普通卤管设计，我们提供了强致冷却单元，为设备的正常使用提供了足够的冷却单元，大大延长了仪器的使用寿命。

■所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及最小维护量的要求

■即使在高照明的条件下，我们的相机传感器也几乎没有退化的情况。

■有多年在欧洲生产销售应用的经验，产品具有优良的工业应用性。

■检测速度快，自动四面检测< 1分钟,快速两面检测<20秒，一面<5秒

■可定制硅块缝合复原功能

■可定制硅块尺寸测试模块

■可根据客户需求进行功能模块定制，包括硅锭晶体生长情况进行工艺分析

■ 可定制在线生产模式

■ 可定制砷化镓磷化铟等其他半导体材料的探伤检测

■ 可定制中文操作系统界面

■主要探测指标：裂缝，黑点，夹杂（通常为SiC），隐裂，微晶

■硅块电阻率：≥0.5Ohm*Cm（推荐）

■检测时间：平均每个硅块小于1分钟，两面小于20秒，一面小于5秒

■硅块尺寸：210mmx210mmx420mm

■采用单轴伺服电机

■最大承载量:40kg

■具有过流保护以防止损伤和电机烧毁

■无步进损失，高分辨率解码机器

■高强度NIR卤灯，273mm加热波长

■功率：230V,1000W

■温度：25-60摄氏度

■光强可通过软件控制

■软件具有过热保护

■采用红外CCD控温

■12位ADC

■频率：60Hz和100Hz两个选择

■像素间距: 30μm

■可手动调节红外镜头

■测试硅块尺寸：210mmx210mmx420mm

■一套硬件装备可以检测所有尺寸的硅块

■适用于不同的表面质量和厚度的硅块

■适用于抛光面和裸面，抛光面探测效果更佳

■电阻率：≥0.5Ohm*Cm（推荐）

   ■裂缝，黑点，夹杂（通常为SiC），隐裂，微晶

■可从四个方向进行自动取样

■可快速进行样块的快速测量

■软件会对探测结果进行评价

■可对检测参数进行灵活设置