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IGBT模块SKiiP2414GB17E4-4DUK310

 
品牌: 西门康
电压: 1700V
电流: 2400A
重量: 11
单价: 19999.00元/件
起订: 1 件
供货总量: 10 件
发货期限: 自买家付款之日起 30 天内发货
所在地: 北京 朝阳
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-07-09 11:27
浏览次数: 410
 
公司基本资料信息
详细说明

德国赛米控/西门康IPM智能功率模块SKiiP2414GB17E4-4DUK310

<span "="" style="margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px;">北京京诚宏泰科技有限公司供应西门康IGBT模块SKiiP2414GB17E4-4DUK310

西门康SKiiP4系列IPM智能功率模块

SKiiP1203GB172-2DFL品牌
赛米控SEMIKRON
SKiiP1203GB172-2DFL产地
德国
SKiiP1203GB172-2DFL技术参数
VCES=1200V; IC=1200A
SKiiP1203GB172-2DFL产品属性

西门康SKiiP4系列智能igbt模块

供应西门康IGBT模块SKiiP2414GB17E4-4DUK310

风电 光伏新能源 电厂用IGBT模块

北京京诚宏泰科技有限公司销售供应西门康IGBT模块SKiiP2414GB17E4-4DUK310

品牌
赛米控/西门康SEMIKRON
产地
德国
技术参数
VCES=1700V; IC=2400A
产品属性

西门康SKiiP4系列智能igbt模块

西门康IPM功率模块SKiiP2414GB17E4-4DUK310是一款大功率2单元半桥结构IPM智能功率模块内置igbt半桥电路%2BNTC

供应西门康IGBT模块SKiiP2414GB17E4-4DUK310

1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A
1700V-igbt 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A
SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A
SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A
SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A
SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A
SKIIP1513GB172-3DUL V3   1700V----500A
SKIIP603GD172-3DUW V3   1700V----600A

1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A
SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A
SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A
SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A
SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A
SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A
SKiiP 1814 GB12E4-3DUW
1200V - IGBT 3 (Trench) - SKiiP3
SKiiP 603 GD123-3DUL V3
SKiiP 603 GD123-3DUW V3
SKiiP 613 GD123-3DUL V3
SKiiP 613 GD123-3DUW V3
SKiiP 1213 GB123-2DL V3
SKiiP 1213 GB123-2DW V3
SKiiP 1813 GB123-3DL V3
SKiiP 1813 GB123-3DW V3
SKiiP 2413 GB123-4DL V3
SKiiP 2413 GB123-4DW V3

 

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;
IGBT是能源变换与传输的器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为新兴产业,在轨道交通、智能电网、电动汽车与新能源装备等领域应用

SKiiP2403GB172

北京京诚宏泰科技有限公司原装供应IPM模块
SKiiP3614GB12E4-6DUW

SKiiP3614GB12E4-6DULR
SKiiP513GD172-3DUL V3
SKiiP513GD172-3DUW V3
SKiiP603GD172-3DUL V3
SKiiP603GD172-3DUW V3
SKiiP1013GB172-2DL V3
SKiiP1013GB172-2DW V3
SKiiP1203GB172-2DL V3
SKiiP1203GB172-2DW V3
SKiiP1513GB172-3DL V3
SKiiP1513GB172-3DW V3
SKiiP1803GB172-3DL V3
SKiiP2013GB172-4DK0376
SKiiP2013GB172-4DK0255

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